Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STP3N80K5
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STP3N80K5-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Αποθέμα:
841 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12879389
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STP3N80K5 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperMESH5™
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
130 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
STP3N80
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
-497-14281-5
STP3N80K5-DG
497-14281-5
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFBE30PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2597
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFBE30PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.83
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTP4N80P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTP4N80P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STP15N80K5
MOSFET N-CH 800V 14A TO220
STP5NK60ZFP
MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
STF17NF25
MOSFET N-CH 250V 17A TO220FP
