Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STP16NS25
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STP16NS25-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 16A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Αποθέμα:
12874572
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STP16NS25 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
-
Σειρά
MESH OVERLAY™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
16A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1270 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
140W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-65°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
STP16N
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
497-3183-5-NDR
497-3183-5
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF644PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1392
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF644PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.65
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF634PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6636
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF634PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.67
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STD4N62K3
MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
STP9N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A TO220
STU11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A IPAK
