STL9N60M2
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

STL9N60M2

Product Overview

Κατασκευαστής:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

STL9N60M2-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 4.8A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV

Αποθέμα:

760 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12878445
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

STL9N60M2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
MDmesh™ II Plus
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
860mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
320 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
48W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerFlat™ (5x6) HV
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
STL9

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
497-14970-2
497-14970-1
497-14970-6

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
stmicroelectronics

STB20NM50FDT4

MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK

stmicroelectronics

STW10N105K5

MOSFET N-CH 1050V 6A TO247

stmicroelectronics

STF16NF25

MOSFET N-CH 250V 14A TO220FP

stmicroelectronics

STB130N6F7

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK