Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STL8N6F7
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STL8N6F7-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 36A (Tc) 3W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Αποθέμα:
5004 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12877984
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STL8N6F7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
STripFET™ F7
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
36A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
450 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta), 60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
STL8
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
497-STL8N6F7CT
497-STL8N6F7TR
STL8N6F7-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STD7N65M6
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
STB55NF06T4
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
STP80NF03L-04
MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
