STL36N60M6
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

STL36N60M6

Product Overview

Κατασκευαστής:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

STL36N60M6-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV

Αποθέμα:

113 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12879527
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

STL36N60M6 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
MDmesh™ M6
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.75V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
44.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1960 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
160W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerFlat™ (8x8) HV
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
STL36

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
497-19062-2

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
stmicroelectronics

STP4NK80ZFP

MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP

stmicroelectronics

STB130NS04ZBT4

MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STP33N60DM6

MOSFET N-CH 600V 25A TO220

stmicroelectronics

STW28N65M2

MOSFET N-CH 650V 20A TO247