Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STL22N65M5
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STL22N65M5-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT HV
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 2.8W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Αποθέμα:
12875821
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STL22N65M5 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
MDmesh™ V
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
15A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
210mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1345 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2.8W (Ta), 110W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerFlat™ (8x8) HV
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
STL22
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
497-13600-2
497-13600-1
-497-13600-2
497-13600-2-DG
497-STL22N65M5DKR
-497-13600-1
497-13600-1-DG
497-STL22N65M5CT
-497-13600-6
497-13600-6
497-STL22N65M5TR
497-13600-6-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STP3NK50Z
MOSFET N-CH 500V 2.3A TO220AB
STW74NF30
MOSFET N-CH 300V 60A TO247
STH310N10F7-2
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
