STI200N6F3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

STI200N6F3

Product Overview

Κατασκευαστής:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

STI200N6F3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Αποθέμα:

12876101
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

STI200N6F3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
-
Σειρά
STripFET™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 60A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6265 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
330W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-262 (I2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
STI200N

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF3205ZLPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3938
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF3205ZLPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.67
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFSL3306PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFSL3306PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.04
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN2R0-60ES,127
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
NXP Semiconductors
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7334
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PSMN2R0-60ES,127-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.30
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFSL3206PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1600
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFSL3206PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.22
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
stmicroelectronics

STD30PF03L-1

MOSFET P-CH 30V 24A IPAK

stmicroelectronics

STWA70N60DM2

MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247

stmicroelectronics

STF45N10F7

MOSFET N-CH 100V 30A TO220FP

stmicroelectronics

STP24N60M6

MOSFET N-CH 600V TO220