STF12N65M2
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

STF12N65M2

Product Overview

Κατασκευαστής:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

STF12N65M2-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 8A TO220FP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP

Αποθέμα:

366 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12877684
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

STF12N65M2 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tube
Σειρά
MDmesh™ M2
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
535 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FP
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
STF12

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
497-15531-5

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
stmicroelectronics

STH260N6F6-6

MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

stmicroelectronics

STL17N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT

stmicroelectronics

STW37N60DM2AG

MOSFET N-CH 600V 28A TO247

stmicroelectronics

STF34NM60ND

MOSFET N-CH 600V 29A TO220FP