STD4NK80Z-1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

STD4NK80Z-1

Product Overview

Κατασκευαστής:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

STD4NK80Z-1-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Αποθέμα:

4630 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12873224
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

STD4NK80Z-1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperMESH™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 50µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
575 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
80W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-251 (IPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
STD4NK80

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
75
Άλλα ονόματα
STD4NK80Z1
STD4NK80Z-1-DG
497-12560-5
497-12560-5-DG
497-STD4NK80Z-1
-1138-STD4NK80Z-1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
stmicroelectronics

STB34N50DM2AG

MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK

stmicroelectronics

STU27N3LH5

MOSFET N-CH 30V 27A IPAK

stmicroelectronics

STP120N4F6

MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

stmicroelectronics

STW28N60DM2

MOSFET N-CH 600V 21A TO247