STD100N10F7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

STD100N10F7

Product Overview

Κατασκευαστής:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

STD100N10F7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount DPAK

Αποθέμα:

5739 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12877554
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

STD100N10F7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
DeepGATE™, STripFET™ VII
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4369 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
120W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
STD100

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
497-13548-2
497-13548-1
497-13548-5-DG
497-13548-6
497-13548-5
5060-STD100N10F7TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
stmicroelectronics

STF15NM60N

MOSFET N-CH 600V 14A TO220FP

stmicroelectronics

STB16PF06LT4

MOSFET P-CH 60V 16A D2PAK

stmicroelectronics

STP80NF70

MOSFET N-CH 68V 98A TO220AB

stmicroelectronics

STB25NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK