STB9NK70Z-1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

STB9NK70Z-1

Product Overview

Κατασκευαστής:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

STB9NK70Z-1-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 700 V 7.5A (Tc) 115W (Tc) Through Hole I2PAK

Αποθέμα:

12875063
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

STB9NK70Z-1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
-
Σειρά
SuperMESH™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
700 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1370 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
115W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
I2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Βασικός αριθμός προϊόντος
STB9N

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
stmicroelectronics

STU5N70M6-S

MOSFET N-CH 700V 3.5A IPAK

stmicroelectronics

STP15N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 11A TO220

stmicroelectronics

STP3NK90Z

MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB

stmicroelectronics

STW26NM60N

N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ.,