STB34NM60N
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

STB34NM60N

Product Overview

Κατασκευαστής:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

STB34NM60N-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 29A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

12876014
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

STB34NM60N Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
MDmesh™ II
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
29A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
84 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2722 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
250W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
STB34

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
497-12236-6
-497-12236-6
-497-12236-2
497-12236-2
-497-12236-1
497-12236-1

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R099CPAATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
700
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R099CPAATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.17
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R125C6ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2357
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R125C6ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.54
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R099CPATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1212
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R099CPATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.99
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R099C6ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2845
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R099C6ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.99
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R125CPATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1762
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPB60R125CPATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
3.04
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
stmicroelectronics

STB120N4LF6

MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

stmicroelectronics

STP6NC60

MOSFET N-CH 600V 6A TO220AB

stmicroelectronics

STP5NK100Z

MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB

stmicroelectronics

STD9NM40N

MOSFET N-CH 400V 5.6A DPAK