Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2N6661
Product Overview
Κατασκευαστής:
Solid State Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2N6661-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 90V 900MA TO39
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 90 V 900mA (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Αποθέμα:
6694 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12971657
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2N6661 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Manufacturers
Συσκευασία
Box
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
90 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
900mA (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
4mOhm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±40V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
6.25W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-39
Συσκευασία / Θήκη
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
10
Άλλα ονόματα
2383-2N6661
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
APT14M120S
MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK
PJL9434A_R2_00001
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD4NA65_L2_00001
650V N-CHANNEL MOSFET
