2SC6017-H-TL-E
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2SC6017-H-TL-E

Product Overview

Κατασκευαστής:

Sanyo

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2SC6017-H-TL-E-DG

Περιγραφή:

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 10 A 200MHz 950 mW Surface Mount DPAK/TP-FA

Αποθέμα:

1314 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12941187
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2SC6017-H-TL-E Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Μονοπολικοί Διπόλοι Τρανζίστορ
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
NPN
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
10 A
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
50 V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
360mV @ 250mA, 5A
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
10µA (ICBO)
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
200 @ 1A, 2V
Ισχύς - Μέγιστη
950 mW
Συχνότητα - Μετάβαση
200MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
-
Προσόν
-
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK/TP-FA

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,314
Άλλα ονόματα
ONSSNY2SC6017-H-TL-E
2156-2SC6017-H-TL-E

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
Not applicable
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
sanyo

2SD2223-E-SY

NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON

onsemi

2SC536E-SPA-AC

SMALL SIGNAL NPN SILICON

nexperia

BCP53H,115

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

harris-corporation

CA3127ER2323

HIGH FREQUENCY NPN TRANSISTOR AR