Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2SC3599E
Product Overview
Κατασκευαστής:
Sanyo
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2SC3599E-DG
Περιγραφή:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 300 mA 500MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Αποθέμα:
4405 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12941634
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2SC3599E Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Μονοπολικοί Διπόλοι Τρανζίστορ
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
NPN
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
300 mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
120 V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
600mV @ 7mA, 70mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
100nA (ICBO)
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
100 @ 50mA, 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.2 W
Συχνότητα - Μετάβαση
500MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
-
Προσόν
-
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
TO-225AA, TO-126-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-126
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
460
Άλλα ονόματα
ONSSNY2SC3599E
2156-2SC3599E
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
Not applicable
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
2SC3595D
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC4455Q-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
2SC2463DETL-E
0.1A, 40V
