Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SMA5127
Product Overview
Κατασκευαστής:
Sanken Electric USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SMA5127-DG
Περιγραφή:
MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12SIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 4A 4W Through Hole 12-SIP
Αποθέμα:
13561661
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SMA5127 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Sanken Electric Co., Ltd.
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
550mOhm @ 2A, 4V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
150pF @ 10V, 320pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
4W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
12-SIP
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
12-SIP
Βασικός αριθμός προϊόντος
SMA51
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
18
Άλλα ονόματα
SMA5127 DK
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
