Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SMA5117
Product Overview
Κατασκευαστής:
Sanken Electric USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SMA5117-DG
Περιγραφή:
MOSFET 6N-CH 250V 7A 12SIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 250V 7A 4W Through Hole 12-SIP
Αποθέμα:
31 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13562664
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SMA5117 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Sanken Electric Co., Ltd.
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
850pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
4W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
12-SIP
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
12-SIP
Βασικός αριθμός προϊόντος
SMA51
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
18
Άλλα ονόματα
SMA5117 DK
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
