Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2SK4161D
Product Overview
Κατασκευαστής:
Sanken Electric USA Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2SK4161D-DG
Περιγραφή:
MOS FET 60V/100A/0.0038
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 132W (Tc) Through Hole TO-3P
Αποθέμα:
12993925
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2SK4161D Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Sanken Electric Co., Ltd.
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
155mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
10000 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
132W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-3P
Συσκευασία / Θήκη
TO-3P-3, SC-65-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
2SK4161
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,020
Άλλα ονόματα
1261-2SK4161D
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RD3P03BBHTL1
NCH 100V 35A, TO-252, POWER MOSF
FKV660S
MOSFET 60V/60A/0.011
RX3P07BBHC16
NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER MO
