VT6M1T2CR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

VT6M1T2CR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

VT6M1T2CR-DG

Περιγραφή:

MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 100mA 120mW Surface Mount VMT6

Αποθέμα:

64626 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525860
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

VT6M1T2CR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100mA
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
-
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7.1pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
120mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, Flat Leads
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
VMT6
Βασικός αριθμός προϊόντος
VT6M1

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
8,000
Άλλα ονόματα
VT6M1T2CRCT
VT6M1T2CRTR
VT6M1T2CRDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

US6K1TR

MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6

rohm-semi

US6K4TR

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6

rohm-semi

QH8MA4TCR

MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8

rohm-semi

UM6K31NFHATCN

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6