Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SP8M7TB
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SP8M7TB-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 5A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
Αποθέμα:
13526219
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SP8M7TB Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A, 7A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
51mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
5.5nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
230pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
2W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOP
Βασικός αριθμός προϊόντος
SP8M7
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SP8M7TBDKR
SP8M7TBCT
SP8M7TBTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9389TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
16231
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9389TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.16
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
QS8K21TR
MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
QS6M3TR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
SH8K10SGZETB
MOSFET 2N-CH 30V 7A/8.5A 8SOP