Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SCT4062KRC15
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SCT4062KRC15-DG
Περιγραφή:
1200V, 62M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 26A (Tc) 115W Through Hole TO-247-4L
Αποθέμα:
4950 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12976100
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SCT4062KRC15 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
26A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
81mOhm @ 12A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.8V @ 6.45mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
64 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+21V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1498 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
115W
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247-4L
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-4
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT4062
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
846-SCT4062KRC15
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SCT4045DEC11
750V, 45M, 3-PIN THD, TRENCH-STR
RQ7L055BGTCR
NCH 60V 5.5A, TSMT8, POWER MOSFE
SCT4045DRC15
750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR