Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SCT3080KLGC11
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SCT3080KLGC11-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 31A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N
Αποθέμα:
325 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527372
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SCT3080KLGC11 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
31A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
104mOhm @ 10A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.6V @ 5mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
60 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
785 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
165W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT3080
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RD3L150SNFRATL
MOSFET N-CH 60V 15A TO252
R6025JNZC8
MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
R6015ENJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
