Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SCT3030ALHRC11
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SCT3030ALHRC11-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 70A (Tc) 262W Through Hole TO-247N
Αποθέμα:
468 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524431
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SCT3030ALHRC11 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
70A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
39mOhm @ 27A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.6V @ 13.3mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
104 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1526 pF @ 500 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
262W
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT3030
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RS1G260MNTB
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
RSD221N06TL
MOSFET N-CH 60V 22A CPT3
R6076ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
