SCT3030ALHRC11
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SCT3030ALHRC11

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SCT3030ALHRC11-DG

Περιγραφή:

SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 70A (Tc) 262W Through Hole TO-247N

Αποθέμα:

468 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524431
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SCT3030ALHRC11 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
70A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
39mOhm @ 27A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.6V @ 13.3mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
104 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1526 pF @ 500 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
262W
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT3030

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RS1G260MNTB

MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP

rohm-semi

RSD221N06TL

MOSFET N-CH 60V 22A CPT3

rohm-semi

R6076ENZ1C9

MOSFET N-CH 600V 76A TO247

rohm-semi

QS5U12TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5