SCT3022KLGC11
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SCT3022KLGC11

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SCT3022KLGC11-DG

Περιγραφή:

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 95A (Tc) 427W Through Hole TO-247N

Αποθέμα:

221 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525685
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SCT3022KLGC11 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
95A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.6V @ 18.2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2879 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
427W
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT3022

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
30

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RQ5A030APTL

MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3

rohm-semi

RQ5L030SNTL

MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3

rohm-semi

RV3C002UNT2CL

MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604

rohm-semi

RUE002N05TL

MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3