Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SCT3022KLGC11
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SCT3022KLGC11-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 95A (Tc) 427W Through Hole TO-247N
Αποθέμα:
221 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525685
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SCT3022KLGC11 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
95A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.6V @ 18.2mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2879 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
427W
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT3022
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RQ5A030APTL
MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
RQ5L030SNTL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
