Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SCT2080KEGC11
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SCT2080KEGC11-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 1200V 40A TO247N
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
Αποθέμα:
170 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12996835
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SCT2080KEGC11 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
40A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
117mOhm @ 10A, 18V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 4.4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
106 nC @ 18 V
Vgs (Μέγ.)
+22V, -6V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2080 pF @ 800 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
262W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247N
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT2080
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
450
Άλλα ονόματα
846-SCT2080KEGC11
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MTSF2P03HDR2
MTSF2P03 - TRANS MOSFET P-CH 30V
MCG65N03-TP
N-CHANNEL MOSFET, DFN3333
MCG30N10Y-TP
MOSFET N-CH DFN3333
