Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RX3G18BGNC16
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RX3G18BGNC16-DG
Περιγραφή:
NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 180A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
2903 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12967381
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RX3G18BGNC16 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
180A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.64mOhm @ 90A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
168 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
12000 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
RX3G18
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
846-RX3G18BGNC16DKR
846-RX3G18BGNC16CT-DG
846-RX3G18BGNC16CT
846-RX3G18BGNC16TR
846-RX3G18BGNC16DKR-DG
846-RX3G18BGNC16TR-DG
846-RX3G18BGNC16
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
R6524KNX3C16
650V 24A, TO-220AB, HIGH-SPEED S
RQ3G110ATTB
PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
PSMN9R5-100PS,127
NEXPERIA PSMN9R5-100PS - 89A, 10
