RUQ050N02HZGTR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RUQ050N02HZGTR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RUQ050N02HZGTR-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 5A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Αποθέμα:

3964 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13080557
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RUQ050N02HZGTR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
900 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
950mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT6 (SC-95)
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
RUQ050

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-RUQ050N02HZGCT
846-RUQ050N02HZGTR
846-RUQ050N02HZGDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RTR020N05HZGTL

MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3

rohm-semi

RTR020P02HZGTL

MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3

rohm-semi

RTQ035N03HZGTR

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

rohm-semi

RSQ015N06HZGTR

MOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6