RUC002N05HZGT116
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RUC002N05HZGT116

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RUC002N05HZGT116-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 50V 200MA SST3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3

Αποθέμα:

43989 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526621
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RUC002N05HZGT116 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
25 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
350mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SST3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
RUC002

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RUC002N05HZGT116-ND
RUC002N05HZGT116TRND
RUC002N05HZGT116TR
RUC002N05HZGT116CT
RUC002N05HZGT116DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RMW200N03TB

MOSFET N-CH 30V 20A 8PSOP

rohm-semi

RUE003N02TL

MOSFET N-CH 20V 300MA EMT3

rohm-semi

SCT3120ALHRC11

SICFET N-CH 650V 21A TO247N

rohm-semi

RUF025N02FRATL

MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3