RU1E002SPTCL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RU1E002SPTCL

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RU1E002SPTCL-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 250MA UMT3F
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 250mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3F

Αποθέμα:

13941 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524482
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RU1E002SPTCL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
250mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
30 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
UMT3F
Συσκευασία / Θήκη
SC-85
Βασικός αριθμός προϊόντος
RU1E002

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RU1E002SPTCLDKR
RU1E002SPTCLCT
RU1E002SPTCLTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RTF025N03FRATL

MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3

rohm-semi

RCJ330N25TL

MOSFET N-CH 250V 33A LPTS

rohm-semi

R6020PNJFRATL

MOSFET N-CH 600V 20A LPTS

rohm-semi

RQ5E035XNTCL

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3