Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RTQ025P02HZGTR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RTQ025P02HZGTR-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 950mW (Ta) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Αποθέμα:
3051 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12939476
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RTQ025P02HZGTR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
580 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
950mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT6 (SC-95)
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
RTQ025
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-RTQ025P02HZGCT
846-RTQ025P02HZGTR
846-RTQ025P02HZGDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SQ3427AEEV-T1_BE3
MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
SQS484EN-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
SUD35N10-26P-BE3
MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
