RSR010N10HZGTL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RSR010N10HZGTL

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RSR010N10HZGTL-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 1A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT3

Αποθέμα:

6887 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12818141
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RSR010N10HZGTL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
520mOhm @ 1A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
700mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT3
Συσκευασία / Θήκη
SC-96
Βασικός αριθμός προϊόντος
RSR010

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-RSR010N10HZGTLCT
846-RSR010N10HZGTLDKR
846-RSR010N10HZGTLTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RSR025N03HZGTL

MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3

rohm-semi

RSQ035N03HZGTR

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

rohm-semi

R5019ANJTL

MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

rohm-semi

RSR030N06HZGTL

MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3