RS1L151ATTB1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RS1L151ATTB1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RS1L151ATTB1-DG

Περιγραφή:

PCH -60V -56A, HSOP8, POWER MOSF
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 56A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP

Αποθέμα:

10780 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12967428
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RS1L151ATTB1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
56A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6900 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RS1L

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-RS1L151ATTB1DKR
846-RS1L151ATTB1CT
846-RS1L151ATTB1TR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
renesas-electronics-america

2SJ598-AY

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

TK5R1P08QM,RQ

UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM

vishay-siliconix

SIJH600E-T1-GE3

N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

renesas-electronics-america

2SJ462-T1-AZ

P-CHANNEL POWER MOSFET