RS1G180MNTB
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RS1G180MNTB

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RS1G180MNTB-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 18A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Αποθέμα:

2232 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525376
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RS1G180MNTB Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Ta), 80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 18A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1293 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta), 30W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RS1G

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-RS1G180MNCT
RS1G180MNTB-ND
846-RS1G180MNDKR
846-RS1G180MNTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD18503Q5A
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Texas Instruments
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4931
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
CSD18503Q5A-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.54
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC059N04LSGATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
44864
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
BSC059N04LSGATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.28
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPC50N04S55R8ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4727
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPC50N04S55R8ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.33
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMTH4007SPS-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMTH4007SPS-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.37
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RUQ050N02TR

MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6

rohm-semi

RQ5E030RPTL

MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3

rohm-semi

RD3U080CNTL1

MOSFET N-CH 250V 8A TO252

rohm-semi

RQ3E100BNTB

MOSFET N-CH 30V 10A 8HSMT