Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RS1E170GNTB
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RS1E170GNTB-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 17A (Ta), 40A (Tc) 3W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Αποθέμα:
1959 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13080530
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RS1E170GNTB Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Ta), 40A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6.7mOhm @ 17A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
720 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta), 23W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RS1E
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-RS1E170GNTR
846-RS1E170GNTBCT
RS1E170GNTBTR
RS1E170GNTBDKR
RS1E170GNTBCT
846-RS1E170GNTBDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RSR020N06HZGTL
MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
RSQ035N06HZGTR
MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT6
CMS25N03V8-HF
MOSFET N-CH 30V 25A 8DFN