Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RS1E130GNTB
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RS1E130GNTB-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 3W (Ta), 22.2W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Αποθέμα:
1178 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525749
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RS1E130GNTB Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11.7mOhm @ 13A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.9 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
420 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3W (Ta), 22.2W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RS1E
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RS1E130GNTBTR
RS1E130GNTBCT
RS1E130GNTBDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJQ5412_R2_00001
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Panjit International Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2969
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJQ5412_R2_00001-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.12
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RRR030P03TL
MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
RP1E070XNTCR
MOSFET N-CH 30V 7A MPT6
RD3P130SPFRATL
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
