Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RQ7E110AJTCR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RQ7E110AJTCR-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 11A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount TSMT8
Αποθέμα:
1294 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525786
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RQ7E110AJTCR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
9mOhm @ 4.5A, 11V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2410 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT8
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Βασικός αριθμός προϊόντος
RQ7E110
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RQ7E110AJTCRCT
RQ7E110AJTCRDKR
RQ7E110AJTCRTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RQ5L035GNTCL
MOSFET N-CH 60V 3.5A TSMT3
RUM002N05T2L
MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
RSF015N06TL
MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
