Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RQ3L050GNTB
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RQ3L050GNTB-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 14.8W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Αποθέμα:
14048 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525706
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RQ3L050GNTB Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
61mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 25µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
300 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
14.8W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSMT (3.2x3)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RQ3L050
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RQ3L050GNTBTR
RQ3L050GNTBDKR
RQ3L050GNTBCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RJ1P12BBDTLL
MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
RUF025N02TL
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3
RSH125N03TB1
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
