RQ1C075UNTR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RQ1C075UNTR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RQ1C075UNTR-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 7.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8

Αποθέμα:

13526864
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RQ1C075UNTR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1400 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
700mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT8
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Βασικός αριθμός προϊόντος
RQ1C075

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RQ1C075UNTRCT-ND
RQ1C075UNTRDKR-ND
RQ1C075UNTRDKR
RQ1C075UNTRTR
RQ1C075UNDKR
RQ1C075UNCT
RQ1C075UNTRTR-ND
RQ1C075UNTRCT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

R6025FNZ1C9

MOSFET N-CH 600V 25A TO247

rohm-semi

RUF015N02TL

MOSFET N-CH 20V 1.5A TUMT3

rohm-semi

RV1C001ZPT2L

MOSFET P-CH 20V 100MA VML0806

rohm-semi

RP1H065SPTR

MOSFET P-CH 45V 6.5A MPT6