RQ1A070ZPTR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RQ1A070ZPTR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RQ1A070ZPTR-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 12 V 7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount TSMT8

Αποθέμα:

5232 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525356
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RQ1A070ZPTR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
58 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7400 pF @ 6 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
700mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT8
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Βασικός αριθμός προϊόντος
RQ1A070

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RQ1A070ZPTRDKR
RQ1A070ZPTRCT
RQ1A070ZPTRDKR-ND
RQ1A070ZPTRCT-ND
RQ1A070ZPCT
RQ1A070ZPDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RSD175N10TL

MOSFET N-CH 100V 17.5A CPT3

rohm-semi

RCX100N25

MOSFET N-CH 250V 10A TO220FM

rohm-semi

RQ6C065BCTCR

MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6

rohm-semi

RW1C015UNT2R

MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT