RP1E100XNTR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RP1E100XNTR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RP1E100XNTR-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 30V 10A MPT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MPT6

Αποθέμα:

13526335
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RP1E100XNTR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
800 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
MPT6
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, Flat Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
RP1E0100

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
RP1E100XNCT
RP1E100XNTRCT
RP1E100XNTRCT-ND
RP1E100XNTRDKR
RP1E100XNDKR
RP1E100XNTRDKR-ND

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RZF030P01TL

MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3

rohm-semi

RSR020N06TL

MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3

rohm-semi

RXR035N03TCL

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT3

rohm-semi

R6015ENX

MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM