Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RJ1L12BGNTLL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RJ1L12BGNTLL-DG
Περιγραφή:
NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 192W (Tc) Surface Mount TO-263AB
Αποθέμα:
2000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12975453
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RJ1L12BGNTLL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
120A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 40A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
9000 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
192W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
RJ1L12
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
846-RJ1L12BGNTLLCT
846-RJ1L12BGNTLLTR
846-RJ1L12BGNTLLDKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MSC080SMA120SA
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
PMPB45EPAX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN
MCQ12N10Y-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOP-8
