Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RJ1G08CGNTLL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RJ1G08CGNTLL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 80A LPTL
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount LPTL
Αποθέμα:
960 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13527240
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RJ1G08CGNTLL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5.6mOhm @ 80A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
31.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2410 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
78W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LPTL
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
RJ1G08
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
RJ1G08CGNTLLDKR
RJ1G08CGNTLLTR
RJ1G08CGNTLLCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RS1E301GNTB1
MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP
RSJ151P10TL
MOSFET P-CH 100V 15A LPTS
RS1E150GNTB
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
