Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RHU002N06FRAT106
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RHU002N06FRAT106-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Αποθέμα:
13608 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12851829
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RHU002N06FRAT106 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.4 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
15 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
UMT3
Συσκευασία / Θήκη
SC-70, SOT-323
Βασικός αριθμός προϊόντος
RHU002
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RHU002N06FRAT106-DG
846-RHU002N06FRAT106DKR
846-RHU002N06FRAT106TR
846-RHU002N06FRAT106CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
MPF990
MOSFET N-CH 90V 2A TO92-3
IPD80R360P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3
BSC022N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
