Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RH6G040BGTB1
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RH6G040BGTB1-DG
Περιγραφή:
NCH 40V 95A, HSMT8, POWER MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 40A (Tc) 59W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Αποθέμα:
5281 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12987617
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RH6G040BGTB1 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
40A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
3.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1580 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
59W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-HSMT (3.2x3)
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-RH6G040BGTB1DKR
846-RH6G040BGTB1TR
846-RH6G040BGTB1CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
G02P06
MOSFET P-CH 60V 1.6A,SOT-23
FCHJ85N80-F155
MOSFET N-CH
DMN2310UTQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT523 T&R
