Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RGT8NS65DGC9
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RGT8NS65DGC9-DG
Περιγραφή:
IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO262
Λεπτομερής Περιγραφή:
IGBT Trench Field Stop 650 V 8 A 65 W Through Hole TO-262
Αποθέμα:
965 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526288
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RGT8NS65DGC9 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
IGBTs, Μοναδικά IGBT
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος IGBT
Trench Field Stop
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
650 V
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
8 A
Ρεύμα - Παλμικός συλλέκτης (ICM)
12 A
Vce(on) (μέγ.) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 4A
Ισχύς - Μέγιστη
65 W
Ενέργεια μεταγωγής
-
Τύπος εισόδου
Standard
Χρέωση πύλης
13.5 nC
Td (ενεργοποίηση/απενεργοποίηση) @ 25°C
17ns/69ns
Συνθήκες δοκιμής
400V, 4A, 50Ohm, 15V
Αντίστροφος χρόνος αποκατάστασης (trr)
40 ns
Θερμοκρασία λειτουργίας
-40°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Συσκευασία / Θήκη
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-262
Βασικός αριθμός προϊόντος
RGT8NS65
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RGTH80TS65DGC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N
RGPR20NS43HRTL
IGBT 460V 20A IGNITION LPDS
RGTV60TK65GVC11
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM