RD3G07BBGTL1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RD3G07BBGTL1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RD3G07BBGTL1-DG

Περιγραφή:

NCH 40V 70A, TO-252, POWER MOSF
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252

Αποθέμα:

2495 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13004509
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RD3G07BBGTL1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
70A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.3mOhm @ 70A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3540 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
89W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
RD3G07

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
846-RD3G07BBGTL1CT
846-RD3G07BBGTL1TR
846-RD3G07BBGTL1DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM340N06CP

60V, 25A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM5NC50CF

500V, 5A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM090N03ECP

30V, 50A, SINGLE N-CHANNEL POWER

taiwan-semiconductor

TSM5NC50CP

500V, 5A, SINGLE N-CHANNEL POWER