RCJ510N25TL
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

RCJ510N25TL

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

RCJ510N25TL-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 250V 51A LPTS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 51A (Tc) 1.56W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount LPTS

Αποθέμα:

5032 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524946
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

RCJ510N25TL Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
51A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
7000 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.56W (Ta), 40W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
LPTS
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
RCJ510

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
RCJ510N25TLCT
RCJ510N25TLTR
RCJ510N25TLDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RQ5H025TNTL

MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3

rohm-semi

RQ6P015SPTR

MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6

rohm-semi

RTR025N03TL

MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3

rohm-semi

US5U29TR

MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5