Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RCD075N19TL
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RCD075N19TL-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 190 V 7.5A (Tc) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3
Αποθέμα:
1 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525643
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RCD075N19TL Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
190 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
336mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
CPT3
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
RCD075
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
RCD075N19TLDKR
RCD075N19TLTR
RCD075N19TLCT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RD3T075CNTL1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1472
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RD3T075CNTL1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.50
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RSS125N03TB
MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOP
RQ3E075ATTB
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
RSS090P03FU7TB
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP