R8010ANX
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

R8010ANX

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

R8010ANX-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 800V 10A TO220FM
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM

Αποθέμα:

13524383
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

R8010ANX Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
560mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1750 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
40W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FM
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
R8010

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων
Έγγραφα αξιοπιστίας

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
500
Άλλα ονόματα
R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPA11N80C3XKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2180
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SPA11N80C3XKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.26
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK7A60W,S4VX
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
50
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK7A60W,S4VX-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.72
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF11N60M2-EP
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
998
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF11N60M2-EP-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.67
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF10NM60ND
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
378
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF10NM60ND-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.87
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R8009KNXC7G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1871
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R8009KNXC7G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.74
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

RTQ020N03TR

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6

rohm-semi

RSH070P05GZETB

MOSFET P-CH 45V 7A 8SOP

rohm-semi

RVQ040N05TR

MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6

rohm-semi

R6024ENJTL

MOSFET N-CH 600V 24A LPTS