R8006KNXC7G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

R8006KNXC7G

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

R8006KNXC7G-DG

Περιγραφή:

HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 6A
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 800 V 6A (Ta) 52W (Tc) Through Hole TO-220FM

Αποθέμα:

790 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12996117
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

R8006KNXC7G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
800 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 4mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
650 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FM
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
R8006

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
846-R8006KNXC7GTR
846-R8006KNXC7GDKRINACTIVE
846-R8006KNXC7GDKR-DG
846-R8006KNXC7GCT
846-R8006KNXC7GDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
texas-instruments

CSD18563Q5A-P

60-V, N CHANNEL NEXFET POWER MOS

alpha-and-omega-semiconductor

AOK065V65X2

MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247

nexperia

PSMN4R8-100YSEX

PSMN4R8-100YSE/SOT1023/4 LEADS